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808nm大功率半导体激光器和列阵的开发 与规模生产技术的研究项目

澳门新葡新京:市高新中心      时间:2020-07-24

808nm激光二极管系列采用优化量子阱结构设计,各种条宽结构,能够实现室温连续输出功率300mW、500mW、1.0W、2.0W、3.0W、5.0W。产品适用于固体激光器泵浦源、医学、目标指示、空间光通信等应用领域。

技术领域:

项目阶段:已有样机

项目单位:中国科学院半导体研究所

项目对接联系人:省育成中心   李珍  13477008200

市高新中心   龚振  13972774693



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